[금강일보 곽진성 기자] 국내 연구진이 매우 낮은 온도에서만 작동하는 기존 양자프로세서를 상온에서도 작동 가능하게 만드는 기술을 개발했다.

한국전자통신연구원(ETRI)은 실리콘 및 질화규소(Si₃N₄)를 이용, 양자 인터넷 구현에 필요한 광원소자와 광집적회로를 개발하고 이를 통해 양자 게이트(CNOT)를 구현하는데 성공했다고 29일 밝혔다.

연구진에 따르면 연구진은 기술선점을 위해 양자 광학 방식을 택했다. 주변 환경에 영향을 덜 받아 상온에서 작동할 수 있고 작은 크기로 집적하기도 쉬워 상용화에 유리하기 때문이다.

이번 기술개발은 국내에서 광집적회로 양자 게이트 기술을 처음으로 구현한 사례로 더욱 의미가 크다. 연구진의 기술은 양자 인터넷 구현의 핵심기술인 얽힘 광자 쌍 및 양자 프로세서 칩 개발의 서막을 연 것으로 평가된다.

ETRI는 20여 년 넘게 광 집적회로 기술 연구 노하우와 원천기술 덕분에 성과를 낼 수 있었다고 설명했다. 향후 반도체 공정기술을 이용해 양자 연산 신뢰도를 높이고 게이트 확장에도 유리해 전망도 밝은 편이다.

향후 연구진은 양자 광원 소자의 광자 쌍 생성 비율을 개선하고 광도파로의 전파 손실율을 낮추며 게이트 신뢰도를 99% 이상으로 높이는 등 양자 인터넷 기술을 선도하기 위한 후속 연구를 한다는 계획이다. 본 과제는 과학기술정보통신부 ‘양자 광집적회로 원천기술 연구과제로 진행됐다.

주정진 양자광학연구실장은 “양자 인터넷 핵심기술 개발 및 산업화에 국내 반도체 산업의 강점을 활용, 우리나라가 미래 인터넷 강국의 선도적 역할을 수행할 수 있도록 기여하고 싶다”고 말했다.

곽진성 기자 pen@ggilbo.com

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